HGST, дочерняя компания Western Digital, показала на конференции Flash Memory Summit прототип твердотельного накопителя нового типа, обеспечивающего фактически рекордное быстродействие.
Утверждается, что показанное устройство способно выполнять до 3 млн операций ввода-вывода в секунду в режиме произвольного чтения данных блоками по 512 байт. Задержка при произвольном чтении составляет 1,5 микросекунды.
Секрет нового накопителя заключается в применении памяти с изменяемым фазовым состоянием — Phase Change Memory (PCM). Принцип работы изделий данного типа основывается на уникальном поведении халькогенида, который при нагреве может «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. При изменении состояния происходит переключение между логическим нулём и единицей. По сравнению с флеш-чипами PCM-память обеспечивает значительно более высокое быстродействие. При этом сохраняется энергонезависимость.
В прототипе накопителя HGST используются PCM-чипы ёмкостью 1 Гбит. Устройство хранения данных выполнено в виде карты расширения PCIe Gen 2x4. Производственные нормы — 45 нанометров.
На коммерческом рынке накопители нового типа могут появиться в течение нескольких лет.
